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　　一種集成電路測(cè)試結(jié)構(gòu)、其形成方法及其測(cè)試方法，其中，集成電路測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：襯底;位于襯底上的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)，第一測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一測(cè)試線以及與第一測(cè)試線兩端分別連接的第一襯墊組和第二襯墊組;位于襯底上的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，第二測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第二測(cè)試線以及與第二測(cè)試線連接的第三襯墊，所述第一測(cè)試線與第二測(cè)試線之間電隔離，所述第一測(cè)試線與第二測(cè)試線構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。所述集成電路測(cè)試結(jié)構(gòu)能夠利用同一結(jié)構(gòu)測(cè)試電阻和電容，提升了測(cè)得的電阻和電容之間相關(guān)性的準(zhǔn)確度。

　　IT之家從官方獲取到，中芯國際主要提供 0.35 微米到 FinFET 不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。2023 年第一季度營業(yè)收入 102.09 億元，同比減少 13.9%; 歸母凈利潤 15.91 億元，同比下降 44%。

　　目前，中芯深圳已進(jìn)入量產(chǎn)，中芯京城預(yù)計(jì)下半年進(jìn)入量產(chǎn)，中芯東方預(yù)計(jì)年底通線，中芯西青還在建設(shè)中。