團隊負責人陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。硅上氧化鎵異質(zhì)外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時擁有成本低和散熱好等優(yōu)勢。

　　氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關(guān)注并認可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導體材料。與前代半導體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場強度與更低的導通電阻，從而能量損耗更低，功率轉(zhuǎn)換效率更高。另外，氧化鎵具有良好的化學和熱穩(wěn)定性，成本低，制備方法簡便、便于批量生產(chǎn)，在產(chǎn)業(yè)化方面優(yōu)勢明顯。

　　近年來，我國在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進展，從去年的 2 英寸到 6 英寸，再到最新的 8 英寸，氧化鎵制備技術(shù)越來越成熟。