2013年底，隨著4G牌照的正式發(fā)放，國(guó)內(nèi)移動(dòng)芯片技術(shù)及產(chǎn)業(yè)開始實(shí)現(xiàn)從“有芯”到“強(qiáng)芯”的突破。但對(duì)比國(guó)內(nèi)外芯片企業(yè)，國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)品仍以中低端市場(chǎng)為主，利潤(rùn)率低，時(shí)刻面臨國(guó)際巨頭進(jìn)入中低端市場(chǎng)擠壓生存空間的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。專家指出，在當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)格局下，我國(guó)移動(dòng)芯片需要加強(qiáng)對(duì)核心技術(shù)研發(fā)、關(guān)鍵設(shè)備采買以及核心專利授權(quán)等支持。

　　突破：“無(wú)芯”到“有芯”

　　據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)，2013年我國(guó)智能手機(jī)和平板電腦的芯片需求總和首次超過(guò)個(gè)人電腦；通信芯片出貨量持續(xù)快速增長(zhǎng)，2013年上半年即達(dá)到11億片。

　　據(jù)工信部電信研究院周蘭、李文宇兩位工程師介紹，在國(guó)家對(duì)新一代寬帶無(wú)線通信產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)的大力支持下，國(guó)內(nèi)取得了從“無(wú)芯”到“有芯”的重大突破，涌現(xiàn)出一批初具國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的設(shè)計(jì)企業(yè)，與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)間的技術(shù)差距在不斷縮小。

　　二位表示，在LTE芯片方面我國(guó)已基本跟上國(guó)際水平。“目前海思、展訊、聯(lián)芯、中興微電子、創(chuàng)毅視訊、重郵信科、國(guó)民技術(shù)等已實(shí)現(xiàn)LTE基帶芯片的商用供貨；海思、展訊等多家企業(yè)已經(jīng)開展TD-LTE、TD-SCDMA、LTE-FDD、GSM和WCDMA五模芯片的研發(fā)，并采用目前最先進(jìn)的28nm工藝設(shè)計(jì)，2014年多款平臺(tái)即可實(shí)現(xiàn)商用。LTE-Advanced多模芯片的研發(fā)目前也正在進(jìn)行，預(yù)計(jì)2014年可發(fā)布測(cè)試用樣片”。

　　而在應(yīng)用處理芯片方面，“2011、2012、2013年前三季度我國(guó)智能手機(jī)應(yīng)用處理芯片出貨量分別為0.97、2.58、3.18億片，目前國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到25%，增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)明顯”。

　　挑戰(zhàn)：“國(guó)產(chǎn)化”與“規(guī)模化”

　　在4G牌照對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)的利好之下，周蘭、李文宇也不諱言稱，在當(dāng)前的產(chǎn)業(yè)格局下，我國(guó)移動(dòng)芯片要實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步突破升級(jí)，在市場(chǎng)拓展、技術(shù)提升、產(chǎn)業(yè)合作等方面仍面臨巨大挑戰(zhàn)。

　　二位工程師指出，目前國(guó)內(nèi)多數(shù)芯片企業(yè)實(shí)力和國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)差距較大，產(chǎn)品以中低端市場(chǎng)為主、利潤(rùn)率低，時(shí)刻面臨高通等巨頭進(jìn)入中隊(duì)的風(fēng)險(xiǎn)。

　　另一方面，大帶寬、高速率、高性能、低功耗的發(fā)展需低端市場(chǎng)擠壓生存空間的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，未來(lái)隨著設(shè)計(jì)技術(shù)及工藝技術(shù)升級(jí)的難度加大，面臨差距拉大再次掉求需要引入28nm甚至更高工藝，而目前我國(guó)28nm芯片產(chǎn)品僅有少量供貨，尚未進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段，無(wú)法滿足國(guó)內(nèi)企業(yè)的新產(chǎn)品研發(fā)需求。

　　因此，周蘭、李文宇建議，國(guó)產(chǎn)芯片商抓住4G機(jī)遇，通過(guò)運(yùn)營(yíng)商終端集采、終端企業(yè)整機(jī)研發(fā)時(shí)優(yōu)先采用國(guó)產(chǎn)芯片，加快內(nèi)需市場(chǎng)移動(dòng)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，推動(dòng)移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速放大。

　　同時(shí)，繼續(xù)加強(qiáng)對(duì)LTE及LTE-Advanced多模多頻芯片、多核并行架構(gòu)及64位架構(gòu)芯片、集成型單芯片的研發(fā)。加大對(duì)最先進(jìn)工藝商用芯片研發(fā)的支持。并建議國(guó)家加強(qiáng)對(duì)芯片核心技術(shù)研發(fā)、關(guān)鍵設(shè)備采買以及核心專利授權(quán)等支持及協(xié)調(diào)。