近日，中國移動研究院對外技術(shù)授權(quán)的數(shù)字中頻核心算法在數(shù)字前端(DFE)芯片中實現(xiàn)規(guī)模化商用落地。該授權(quán)是業(yè)內(nèi)首個數(shù)字中頻算法對國產(chǎn)芯片廠商的授權(quán)，通過自主核心技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)了高價值成果轉(zhuǎn)化，創(chuàng)造了中國移動研究院單項技術(shù)授權(quán)入門費的最高記錄，并在近萬顆芯片中實現(xiàn)了規(guī)�；瘧�(yīng)用。

　　數(shù)字中頻核心算法技術(shù)門檻高，目前主要由國外芯片廠商和主要設(shè)備廠商掌握，新興國產(chǎn)小基站芯片廠商普遍面臨著數(shù)字中頻核心算法匱乏的困境。中國移動研究院發(fā)揮央企鏈長責(zé)任和資源稟賦，自主研發(fā)數(shù)字中頻核心算法并授權(quán)國產(chǎn)芯片廠商實現(xiàn)商用，最終應(yīng)用到小基站產(chǎn)品，加速了國產(chǎn)芯片的商用進程，并帶動了小基站芯片國產(chǎn)生態(tài)的繁榮。

　　數(shù)字中頻核心算法主要實現(xiàn)了對小基站功率放大器非線性失真的矯正，提升了功放效率和線性指標(biāo)，可有效降低基站能耗。中國移動研究院創(chuàng)新提出的寬帶功放記憶特性交叉跳躍模型和非線性分段函數(shù)模型，深度適配高效率功放失真特性，減少芯片硬件實現(xiàn)資源30%，使5G小站功放效率提升至30%以上。該算法可通過靈活配置模型架構(gòu)適應(yīng)國內(nèi)外各種類型功放，如砷化鎵(GaAs)、橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)、氮化鎵(GaN)等，大幅提升功放效率。