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SK海力士公告第8代3D NAND 預(yù)估將于2024年年底或2025年年初上市發(fā)售

2023-03-18 21:22:16   作者:   來源:IT之家   評論:0  點擊:


  3 月 18 日消息報道,SK 海力士(SK Hynix)近日宣布第八代 3D NAND 的詳細(xì)信息,堆疊層數(shù)超過 300 層,預(yù)估將于 2024 年年底或者 2025 年年初上市發(fā)售。

  從 SK 海力士官方公告中獲悉,第 8 代 3D NAND 堆疊成熟超過 300 層,容量為 1Tb(128GB),具有三級單元和超過 20Gb / mm^2 的位密度(bit density)。

  該芯片的頁容量(page size)為 16KB,擁有 4 個 planes,接口傳輸速度為 2400MT / s,最高吞吐量為 194MB/s(比第 7 代 238 層 3D NAND 快 18%)。

  新 NAND 的位密度增加近一倍,意味著將顯著提高新制造節(jié)點的每晶圓生產(chǎn)率,也將降低 SK 海力士的成本,只是尚不清楚具體程度。

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